技術(shù)文章
TECHNICAL ARTICLES衍射圖,討論二對(duì)于非缺面孿晶導(dǎo)致|Fo|不對(duì)的問(wèn)題,如果我們養(yǎng)成了良好的習(xí)慣:對(duì)于所有的晶體都應(yīng)在RLATT里檢查倒易點(diǎn)陣的排列,那么我們就會(huì)馬上去發(fā)現(xiàn)晶體的問(wèn)題。然而除了非缺面孿晶,晶體的問(wèn)題還包括很多,比如超晶格,調(diào)制結(jié)構(gòu)(周期或者非周期的衛(wèi)星衍射點(diǎn)),彌散的衍射信號(hào)等。但是單晶衍射數(shù)據(jù)處理的過(guò)程中,通常是基于定出的晶胞對(duì)有限的數(shù)據(jù)進(jìn)行還原,而不是所產(chǎn)生的數(shù)據(jù),所以很多被排除在外的信號(hào)其實(shí)表示了晶體內(nèi)含的一些結(jié)構(gòu)性質(zhì)。而這些在hkl文件并不會(huì)體現(xiàn)出來(lái)。從某種意義上說(shuō),單晶...
衍射圖,討論一關(guān)于很多同學(xué)眼中的“鬼峰”,我們看過(guò)了“答案”起源于基本的數(shù)據(jù)處理(數(shù)據(jù)還原和數(shù)據(jù)校正)對(duì)|Fo|的影響。很多時(shí)候在遇到偏大的Q峰的時(shí)候,不管是一些審稿人還是學(xué)生,都會(huì)馬上去想到“吸收校正”(不知道這個(gè)想法起源于何處),然后很多同學(xué)會(huì)莫名地把90%的原因歸結(jié)于此。甚至在沒有看過(guò)數(shù)據(jù)的情況下,立刻的回答就是去做吸收校正。然而對(duì)于常見的莫名其妙的鬼峰的原因,比如晶體和測(cè)試的問(wèn)題,卻常常被忽略。這里面的原因有很多,我相信大多數(shù)同學(xué)拿到手的數(shù)據(jù)都只是hkl,而不是衍射圖...
引言寬帶隙鈣鈦礦(1.68eV)是兩端鈣鈦礦/硅疊層太陽(yáng)電池的重要前電池吸光材料。然而,這類寬帶隙鈣鈦礦太陽(yáng)電池中存在大量缺陷誘導(dǎo)的非輻射電荷復(fù)合,導(dǎo)致器件開路電壓(VOC)遠(yuǎn)低于理論值,嚴(yán)重限制了器件效率的進(jìn)一步提升。深能級(jí)受體缺陷是影響VOC的主要因素,缺陷鈍化是提供器件效率的有效策略。TOF-SIMS應(yīng)用成果近日,陜西師范大學(xué)方志敏&馮江山&劉生忠團(tuán)隊(duì)通過(guò)采用氟化物輔助表面梯度鈍化的策略獲得了光電轉(zhuǎn)換效率(PCE)高達(dá)21.63%,VOC達(dá)1.239V(VOC損失低至4...
回顧2022年,ULVAC-PHI各個(gè)系列的XPS儀器——VersaProbe、Quantera和Quantes對(duì)科研發(fā)展和技術(shù)進(jìn)步做出了重要貢獻(xiàn)。據(jù)統(tǒng)計(jì),借助PHIXPS設(shè)備,2022年已發(fā)表超過(guò)4400篇的學(xué)術(shù)出版物,包括期刊文章和書籍等。其中,有99項(xiàng)工作發(fā)表在《Nature》和《Science》等高影響力期刊上。例如,我們的用戶利用PHIVersaProbe設(shè)備對(duì)嵌入磁性CoNi合金顆粒的摻氮碳纖維復(fù)合材料表面進(jìn)行了表征,研究發(fā)現(xiàn)該材料表現(xiàn)出優(yōu)異的電磁波吸收性能。該項(xiàng)...
引言光伏發(fā)電新能源技術(shù)對(duì)于實(shí)現(xiàn)碳中和目標(biāo)具有重要意義。近年來(lái),基于有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化鈣鈦礦的光電太陽(yáng)能電池器件取得了飛速的發(fā)展,目前報(bào)道的光電轉(zhuǎn)化效率已接近26%。鹵化物鈣鈦礦材料具有無(wú)限的組分調(diào)整空間,因此表現(xiàn)出優(yōu)異的可調(diào)控的光電性質(zhì)。然而,由于多組分的引入,鈣鈦礦材料生長(zhǎng)過(guò)程中會(huì)出現(xiàn)多相競(jìng)爭(zhēng)問(wèn)題,導(dǎo)致薄膜初始組分分布不均一,這嚴(yán)重降低了器件效率和壽命。圖1.鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)TOF-SIMS應(yīng)用成果由于目前用于高性能太陽(yáng)能電池的混合鹵化物過(guò)氧化物中的陽(yáng)離子和陰離子的混合物經(jīng)常發(fā)生...
XPS的探測(cè)深度在10nm以內(nèi),然而對(duì)于實(shí)際的器件,研究對(duì)象往往會(huì)超過(guò)10nm的信息深度,特別是在一些電氣設(shè)備中,有源層總是被掩埋在較厚的電極之下。因此,利用XPS分析此類樣品,需要結(jié)合離子刻蝕技術(shù)。顯然,離子刻蝕存在擇優(yōu)濺射效應(yīng),特別是對(duì)于金屬氧化物,會(huì)破壞樣品原始的化學(xué)態(tài),導(dǎo)致只憑常規(guī)XPS無(wú)法直接對(duì)埋層區(qū)域進(jìn)行無(wú)損深度分析。好在研究表明增加X射線的光子能量可以增加探測(cè)深度。對(duì)此,ULVAC-PHI推出了實(shí)驗(yàn)室HAXPES設(shè)備,且可同時(shí)配備微聚焦單色化AlKα(1486....
XRR是什么?XRR是一種方便、快速的分析單層或多層薄膜和表面的方法,是一種納米尺度上的分析方法,同時(shí)可實(shí)現(xiàn)無(wú)損分析。例如,通過(guò)原子層沉積(ALD)技術(shù)沉積的薄膜可以用XRR表征薄膜的厚度、密度和界面的粗糙度,同樣也適用于其他方法制備的薄膜,如通過(guò)分子層沉積(MLD)沉積的有機(jī)/無(wú)機(jī)超晶格。與光學(xué)橢偏法不同,該方法不需要預(yù)先了解薄膜的光學(xué)性質(zhì),也不需要假設(shè)薄膜的光學(xué)性質(zhì)。然而,XRR不能提供有關(guān)材料晶體結(jié)構(gòu)的信息,并且多層膜只能在有限的深度內(nèi)表征。XRR簡(jiǎn)單原理介紹XRR分析...
飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜(TOF-SIMS),也叫靜態(tài)二次離子質(zhì)譜,是飛行時(shí)間和二次離子質(zhì)譜結(jié)合的一種新的表面分析技術(shù)。因其免標(biāo)記、高靈敏、多組分檢測(cè)和高空間分辨成像等優(yōu)勢(shì),為諸多生命科學(xué)問(wèn)題的研究提供了重要的技術(shù)支持。近年來(lái),TOF-SIMS在基礎(chǔ)細(xì)胞生物學(xué)、組織生理病理學(xué)、生物醫(yī)藥與臨床醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域的研究中被廣泛應(yīng)用。圖1.“水中小白鼠”斑馬魚(左);冷凍干燥的斑馬魚頭部截面的光學(xué)顯微鏡圖像(右)。小科普:斑馬魚(zebrafish)被稱為“水中小白鼠”,是生物學(xué)家的理想實(shí)驗(yàn)對(duì)...
掃一掃,關(guān)注公眾號(hào)
服務(wù)電話:
021-34685181 上海市松江區(qū)千帆路288弄G60科創(chuàng)云廊3號(hào)樓602室 wei.zhu@shuyunsh.com服務(wù)熱線:
021-34685181
17621138977